– Erreicht eine 26%ige Reduzierung der Chipgröße und eine 31%ige Verbesserung des Rss(on) basierend auf Super-Short Channel FET-Technologie
– Erweitert Batterieschutzlösungen für eine breite Palette mobiler Geräte.
SEOUL, Südkorea–(BUSINESS WIRE)–#BatteryFET–Magnachip Semiconductor Corporation (NYSE: MX, „Magnachip") gab heute die Markteinführung seines neuen 24V MXT LV MOSFET1 der 7. Generation bekannt, der speziell für Batterieschutzschaltungen in Tri-Fold-Smartphones der nächsten Generation entwickelt wurde und seine Präsenz auf dem Premium-Faltsmartphone-Markt stärkt. Das Produkt befindet sich nun in Massenproduktion und wird derzeit an einen großen globalen Smartphone-Hersteller geliefert, nachdem es bewährte Leistung und Zuverlässigkeit unter Beweis gestellt hat.
Der neu eingeführte 24V Dual N-Kanal MOSFET (MDWC24D058ERH) integriert Magnachips proprietäre Super-Short Channel FET (SSCFET®)2-Technologie und reduziert die Chipgröße im Vergleich zur vorherigen Version um etwa 26%. Dies ermöglicht es Herstellern, die Grundfläche der Batterieschutzschaltungsmodul-Platine (PCM) um mehr als 20% zu reduzieren, sodass der eingesparte Platz für eine erhöhte Batteriekapazität oder schlankere Gerätedesigns genutzt werden kann.
Tri-Fold-Smartphones verfügen über einen neuen Formfaktor, der sich zweimal faltet und drei Displays gleichzeitig betreibt, was leistungsstarkes Multitasking ermöglicht. Infolgedessen sind ihre internen Strukturen komplexer, energieeffizienter und zuverlässiger geworden und gleichzeitig zunehmend kritisch im Design. Dementsprechend erfordern diese Geräte hochintegrierte und effiziente MOSFET-Lösungen, um komplexe interne Strukturen zu verwalten und gleichzeitig Stromstabilität zu gewährleisten.
Neben Tri-Fold-Smartphones kann das neue Produkt in einer breiten Palette mobiler Anwendungen eingesetzt werden, einschließlich tragbarer Geräte und Tablets. Es reduziert RSS(on), eine Hauptquelle für Leistungsverluste, um bis zu etwa 31% und hilft, die Wärmeerzeugung zu reduzieren. Das neue Produkt verbessert auch die Stromdichte pro Flächeneinheit im Vergleich zu herkömmlichen Trench-Prozessen um etwa 48% und unterstützt eine stabile Spannungssteuerung unter Hochstrombedingungen. Darüber hinaus integriert es einen elektrostatischen Entladungsschutz (ESD) von mehr als 2kV, der hilft, Batteriesysteme vor externen Störungen zu schützen.
Laut dem Marktforschungsunternehmen Omdia wird der Markt für Silizium-Leistungs-MOSFETs unter 40V, einschließlich Smartphone-BatteryFETs, voraussichtlich von etwa 4,2 Milliarden US-Dollar im Jahr 2025 auf etwa 5,2 Milliarden US-Dollar im Jahr 2029 wachsen, was einer durchschnittlichen jährlichen Wachstumsrate von etwa 4,6% entspricht. Innerhalb dieses Marktes wird erwartet, dass das Premium-Smartphone-Segment, einschließlich Tri-Fold-Smartphones, das Wachstum vorantreibt, unterstützt durch die steigende Nachfrage nach leistungsstarken und hocheffizienten Komponenten.
„Tri-Fold-Smartphones stellen High-End-Mobilgeräte dar, die fortschrittliche Technologie und überlegene Komponentenzuverlässigkeit erfordern", sagte Hyuk Woo, Chief Technology Officer von Magnachip. „Durch die Lieferung dieses neuen MOSFET-Produkts haben wir erneut Magnachips Fähigkeiten im Design von Leistungshalbleitern und technologische Wettbewerbsfähigkeit unter Beweis gestellt. In Zukunft werden wir unser Leistungshalbleiter-Portfolio für eine breite Palette mobiler Anwendungen, einschließlich Smartphones, Wearables und Tablets, durch kontinuierliche Innovation weiter ausbauen."
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Über Magnachip Semiconductor
Magnachip ist ein Designer und Hersteller von analogen und Mixed-Signal-Leistungshalbleiter-Plattformlösungen für verschiedene Anwendungen, einschließlich Industrie, Automobil, Kommunikation, Verbraucher und Computing. Das Unternehmen bietet eine breite Palette von Standardprodukten für Kunden weltweit. Magnachip verfügt über etwa 45 Jahre Betriebsgeschichte, besitzt eine beträchtliche Anzahl registrierter Patente und anhängiger Anmeldungen und verfügt über umfangreiche Expertise in Technik, Design und Herstellungsprozessen. Für weitere Informationen besuchen Sie bitte www.magnachip.com. Informationen auf oder über die Website von Magnachip sind nicht Teil dieser Mitteilung und werden nicht in diese aufgenommen.
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1 MXT LV MOSFET(Magnachip eXtreme Trench Low Voltage MOSFET): Magnachips Niederspannungs-MOSFET-Produktfamilie unter 30V basierend auf seiner neuesten Trench-Prozesstechnologie. | |
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2 SSCFET®(Super-Short Channel FET): Magnachips MOSFET-Designtechnologie, die eine minimierte Kanallängenstruktur anwendet, um niedrigen Durchlasswiderstand und hohe Stromkapazität zu erreichen. | |
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